Samsung Galaxy S23 FE 美國版本將搭載高通驍龍8 Gen1；跑分竟不如國際版 Exynos 2200？！

在外形設計與主要規格全曝光後，今年如無意外新一代 Samsung Galaxy S23 FE 會如期赴約，不會再跳票了。今天網絡上流出了這部輕旗艦另一版本的 Geekbench 跑分，這回它不再搭載自家 Exynos 2200 芯片，而是專為美國市場換上高通驍龍8 Gen1 處理器，大家趕快來了解更多吧 ~

根據以上曝光的 Geekbench 6 截圖，我們看到美國版本的 Galaxy S23 FE 內部型號為 SM-S711U1，它搭載了高通驍龍8 Gen1 處理器並搭配 8GB RAM；其單核獲得1549分，而多核則拿下3718分。

另一邊廂，我們也看到國際版本的 Galaxy S23 FE 同時間測試 Geekbench 跑分，其內部代號為 SM-711B，搭載了自家 Exynos 2200 處理器搭配 8GB RAM；其單核獲得1613分，而多核則拿下4049分，整體跑分對比高通版本均更高，就不知是獲得三星特別優化，還是 Exynos 2200 在這段日子確實有經過改良？

讓我們來迅速回顧一下 Exynos 2200 處理器的規格，它採用最新基於三星4nm工藝製程，CPU 保持「1+3+4」八核心設計，由 1 x 2.80GHz (Cortex X2 核心) + 3 x 2.52GHz (Cortex A710) + 4 x 1.82GHz (Cortex A510) 組合成；GPU 方面則內置了 Xclipse 920AMD RDNA2 內核。

至於驍龍8 Gen1 處理器则同樣採用三星4nm工藝製程 ，CPU 同樣採用「1+3+4」八核心設計，由 1 x 3.00GHz (Cortex X2 核心) + 3 x 2.5GHz (Cortex A710) + 4 x 1.80GHz (Cortex A510) 組合成；圖片渲染方面則內置了 Adreno 730 GPU。

根據早前曝光訊息，我們得知 Galaxy S23 FE 這次背面將配上玻璃材質，機身將繼續配上 IP68 防塵防水設計；正面配上支援 120Hz 高刷率的 6.4寸 FHD+ 分辨率 AMOLED 屏幕，同時機身也將內置 4500mAh 電量搭配 25W 閃充技術。

性能方面，這部輕旗艦將配上改良版的 Exynos 2200 / 驍龍8 Gen1 處理器，並推出【6GB RAM + 128GB 容量】以及【8GB RAM + 256GB 容量】版本；其儲存將用上 UFS3.1。

拍攝方面 Galaxy S23 FE 將配置【5000萬(主) + 1200萬(超廣角) + 800萬(變焦)】其主攝升級至 5000萬像素，採用 ISOCELL GN3 傳感器；其800萬像素 3x 光學變焦鏡頭採用 Hi-347 傳感器；至於1200萬像素超廣角鏡頭則用上 IMX258。

目前可確認的是，除了美國市場，其他地區如歐洲以及亞洲推出的 Samsung Galaxy S23 FE 均會配上 Exynos 2200 處理器，不知這決定會否影響您的購買慾望呢？

我們預計三星會在今年第四季舉辦另一場專為 FE 產品系列而生的 Unpacked 發布會，屆時除了輕旗艦手機會面世外，據聞 Galaxy Tab S9 FE 平板系列也會一併登場，就請大家拭目以待 ~

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