續不久前 Galaxy S25 Ultra 的 Geekbench 跑分曝光后，近日另一部定位卡在中間的 Samsung Galaxy S25+ 性能跑分也浮出水面，這次的曝光帶來了兩則訊息，一是 Plus 型號并沒被取消，再來就是 Galaxy S25+ 也配置了高通驍龍旗艦處理器，大家趕快來瞭解更多吧 ~
根據最新曝光 Geekbench 截圖，我們看到 Galaxy S25+ 配置了高通驍龍8 Gen4 搭配 12GB RAM， 其單核獲得 3,054分，而多核拿下 9,224分，這對比 Galaxy S25 Ultra 首次曝光的跑分成績相差不大，仔細查看，這部用於測試的 Galaxy S25+ 同樣配置了降頻版的高通驍龍8 Gen4，其超大核以及大核的频率分别仅有 4.19Ghz 以及 2.90Ghz！
根據目前業界曝光訊息，我們得知標準版高通驍龍8 Gen4 处理器的 CPU 超大核以及大核的频率分别為 4.32Ghz 以及 3.53Ghz；而高通驍龍8 Gen4 For Galaxy 處理器則讓超大核超頻至4.47Ghz，同時 GPU 也會超頻之 1250MHz。
問題來了，這已經是近期第二次發現三星旗艦在運行降頻版驍龍8 Gen4，難不成三星爲了控制成本考慮讓標準版以及 Plus 款式配上性能稍低版本的骁龍8 Gen4？
綜合目前曝光訊息，我們得知 Samsung Galaxy S25+ 將繼續支援 IP68 防塵防水設計；其體積為 的體積為 158.4 x 75.7 x 7.3mm。機身厚度將削薄 0.4mm 至 7.3mm，讓它成爲市場上最纖薄的旗艦機之一。
顯示屏方面，這部新旗艦将配上 6.7寸 2K 分辨率屏幕，屏幕峰值亮度應該會跟 Ultra 款式一樣達到 3000nits。
拍攝方面，Galaxy S25 將沿用【5000萬(主) + 1200萬(超廣角) + 1000萬(變焦)】像素三攝鏡頭，據聞其感光元件將從用了好幾代的 ISOCELL GN3 升級到索尼新型感光元件。至於超廣角鏡頭以及變焦鏡頭預計會沿用前代相同相機規格。
電航力方面，Galaxy S25+ 也將沿用 4900mAh 電池容量搭配 45W 閃充規格 ~
Galaxy S25 系列預計會在明年1月份隆重登場。至今我們仍未看到搭配 Exynos 處理器的 Galaxy S25 系列測試跑分，消息看到這相信大家應該松了一口氣多吧？相信早前傳聞應該假不了，Galaxy S25 全系列將全面回到高通懷抱，不知大家對這單一芯片策略是否表示歡迎？ 歡迎留言分享意見。
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